10月21日，國家“十三五”科技創新成就展在北京展覽館隆重開幕，集中展示“十三五”以來深入實施創新驅動發展戰略，建設創新型國家所取得的重大科技成果，光迅科技創新成果亮相國家“十三五”科技創新成就展。
本次展覽以“創新驅動發展 邁向科技強國”為主題，充分體現黨對科技工作的全面領導，反映以習近平同志為核心的黨中央對科技創新作出的重大決策部署和取得的巨大成就。面向世界科技前沿，面向經濟主戰場，面向國家重大需求，面向人民生命健康，展覽重點展出了“十三五”期間，我國取得的一批重大標志性成果。展覽分為高新技術、重大專項、農業科技、區域創新等12個展區，共設展項1740項。
經過層層篩選，由光迅科技主持研制的5G通信用25Gb/s DFB激光器芯片、25Gb/s EML激光器芯片、200Gb/s光收發模塊、硅基集成相干光收發器件等四項成果，作為我國信息光電子技術領域“十三五”科技創新成就典型受邀參展，人民網、光明網等新聞媒體對成果做了重點宣傳。
“十三五”期間，光迅科技堅持面向信息光電子世界前沿技術，面向網絡強國建設主戰場，面向寬帶中國和5G等新基建國家重大戰略需求，通過技術與工藝創新，成功攻克了信息光電子芯片與器件的多項技術難題，取得了一系列典型創新成果，取得了良好的經濟效益和社會效益，得到了上級主管部門的充分肯定和業界的廣泛認可。展望“十四五”，光迅科技將進一步加強研發創新投入，在自主創新的道路上不斷努力，為我國的信息光電子產業發展和技術進步貢獻新的力量。
